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三星与博通达成2000亿美元AI芯片合作，聚焦HBM与亚2纳米制程

2026 年 7 月 28 日

三星电子与博通签署谅解备忘录，将在内存与晶圆代工领域深化合作，至2030年合作价值超2000亿美元；重点包括为博通制造HBM内存系统及采用三星亚2纳米制程的高速通信芯片。此举与SK集团同英伟达达成的5000亿美元AI基础设施协议形成区域协同。

三星与博通签署2000亿美元AI芯片合作备忘录

韩国三星电子公司已与总部位于美国的芯片制造商及设计商博通公司（Broadcom）达成协议，以扩大双方在人工智能芯片领域的合作。

该合作关系的确认时间恰逢韩国总统李在明于7月24日至25日访问硅谷，旨在加强韩国与美国科技巨头之间的贸易联系。

在一份声明中，两家公司表示，已签署一份谅解备忘录，将在内存与晶圆代工技术领域开展合作，以支持下一代人工智能基础设施。

该联盟将使三星为博通制造芯片，预计该合作至2030年价值将超过2000亿美元；据这家总部位于首尔的电子巨头称，此举体现了其“持续致力于为客户提供端到-end半导体技术，覆盖日益多样化的人工智能及高性能计算应用领域”。

具体而言，三星与博通表示，双方将供应业界领先的内存系统，包括高带宽内存（HBM），以支持这家美国公司下一代人工智能加速器。

根据两家公司说法，该协议还涵盖采用三星亚2纳米制程技术制造的博通高速通信芯片，从而在封装与能效方面实现进步。

三星电子设备解决方案事业部及存储业务负责人尹永勋（Young Hyun Jun）在一份声明中表示：“人工智能正以前所未有的速度推动对跨内存、逻辑与先进封装等高度集成半导体技术的需求。通过在这些关键技术领域进一步扩大与博通的合作，我们期待为客户创造更大价值，同时推进未来人工智能基础设施的发展。”

此次合作扩展发生于另一家韩国企业取得进展数日后，同样配合总统访美行程：SK集团已与英伟达（Nvidia）达成一项价值逾5000亿美元的协议，该协议同样旨在提升人工智能基础设施。

该协议的亮点之一是确认SK集团即将在韩国建设的2GW云数据中心将采用英伟达DSX平台并部署该公司Vera Rubin芯片。

此外，两家公司表示，该合作还将涵盖下一代人工智能内存系统的联合开发，包括高带宽内存（HBM），以应对从大语言模型训练到具身智能（agentic AI）及物理人工智能（physical AI）等一系列持续演进的基础设施需求。

企业部署AI芯片供应链时，需权衡代工厂技术路线与自身架构适配性。三星亚2纳米制程与HBM供应能力虽强，但博通自研芯片对封装协同和内存带宽的定制化要求极高，意味着企业若采用同类方案，必须前置投入跨技术栈验证资源。
这类大型代工合作凸显RAG知识工程在AI硬件落地中的新角色：企业需构建覆盖制程节点、内存规格、接口协议的结构化知识库，才能快速比对不同代工厂（如三星vs台积电）在HBM堆叠层数、中介层材料、热密度等维度的实际交付能力。
AI芯片代工协议中隐含的‘端到端半导体技术’表述，反映企业智能体工程正从纯软件层下沉至硬件协同层。当逻辑芯片与HBM由同一生态主导时，推理智能体的调度策略需同步考虑内存带宽瓶颈与制程能效曲线，而非仅依赖API抽象。
对AI安全治理而言，此类深度绑定代工关系带来新的供应链风险面：HBM与亚2纳米芯片的联合交付，使固件更新、侧信道防护、可信执行环境（TEE）实现高度耦合，企业无法再将硬件安全视为黑盒，必须参与定义代工厂提供的可验证安全基线。